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IRL3103S/IRL3103L
 
 
3000
2500
2000
V GS = 0V,   f = 1MHz
C iss = C gs + C gd , C ds SHORTED
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
C iss
 
15
12
I D = 34A
 
V DS = 24V
V DS = 15V
9
1500
oss
C  
6
1000
 
500
0
1
rss
C  
10
100
3
0
0
10
20         30         40
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
1000
1000
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS (on)
  175 C
T J =
100
10
°
100
10
100μsec
1
T J = 25 ° C
 
Tc = 25°C
1msec
0.1
V GS = 0 V
 
1
Tj = 175°C
Single Pulse
10msec
0.0
0.4     0.8     1.2     1.6     2.0
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
2.4
1
10
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
100
4
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
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